| GTR自保护驱动电路保护死区短路功耗计算 |
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| 引用本文： | 甘正佳,张颖,成新明. GTR自保护驱动电路保护死区短路功耗计算[J]. 测控技术, 2002, 21(11): 66-68 |
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| 作者姓名： | 甘正佳 张颖 成新明 |
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| 作者单位： | 1. 长沙电力学院,现代教育技术中心,湖南,长沙,410077
2. 中南大学,湖南,长沙,410075 |
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| 摘 要： | GTR大都采用自保护驱动电路，但采用这种电路存在一个保护死区，在保护死区内短路功耗的大小决定了自保护驱动功耗的大小决定了自保护驱动电路能否可靠地对GTR进行保护。本提出了GTR短路时的数学模型，并应用这一模型对GTR自保护驱动电路保护死区短路功耗进行了计算。
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| 关 键 词： | GTR 自保护驱动电路 保护死区 短路功耗 计算 第二代功率半导体器件 |
| 文章编号： | 1000-8829(2002)11-0066-03 |
| 修稿时间： | 2001-11-13 |
The Short Circuit Power Consumption Calculation of the Dead Zone by Using GTR Self-Protect Drive-Circuit |
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