| 高灵敏度InSb磁敏电阻的研究 |
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| 引用本文： | 王文生 刘志刚 胡明. 高灵敏度InSb磁敏电阻的研究[J]. 传感技术学报, 1988, 1(2) |
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| 作者姓名： | 王文生 刘志刚 胡明 |
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| 作者单位： | 天津大学电子工程系(王文生，刘志刚)，天津大学电子工程系(胡明) |
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| 摘 要： | 高灵敏度InSb磁敏电阻是制造无接触电位器的核心部件。本文研究的磁敏电阻已被装配到WMC-1型磁敏电位器中,实测结果表明它完全符合设计要求。该磁敏电阻是一种三端式结构,InSb单晶片尺寸为10×10mm~2的正方形,厚度d≈30μm,用环氧胶粘贴在陶瓷基片上。其电阻值R=1～3kΩ,灵敏度;ΔR/R≥50％(B=0.3T)。
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| 关 键 词： | 磁敏电阻器 |
The Development of High Sensitivs InSb Magnetoresistor |
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| Wang Wensheng Liu Zhigang Hu Ming. The Development of High Sensitivs InSb Magnetoresistor[J]. Journal of Transduction Technology, 1988, 1(2) |
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| Authors: | Wang Wensheng Liu Zhigang Hu Ming |
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| Affiliation: | Tianjin University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Magnetores istor |
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