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| {011}〈UVW〉取向银基带的织构研究 | |
| 引用本文： | 刘丹敏,刘星,周美玲,胡延槽.{011}〈UVW〉取向银基带的织构研究[J].电子显微学报,2006,25(B08):122-123. |
| 作者姓名： | 刘丹敏 刘星 周美玲 胡延槽 |
| 作者单位： | 北京工业大学,北京100022 |
| 基金项目： | 国家863项目（No.2002AA306221）. |
| 摘 要： | 由于Ag不与超导氧化物发生反应，在Ag基带上可以直接沉积YBa2Cu3O7-δ超导薄膜而不需过渡层，但基带的织构状态对超导膜的电性能有很大影响。研究表明{011}〈uvw〉取向的Ag基带有利于外延生长具有c取向及面内取向的YBa2Cu3O7-δ超导薄膜，进而使超导膜具有高的临界电流值。 |
| 关 键 词： | 银基带 YBa2Cu3O7-δ 取向 织构 超导薄膜 超导氧化物 临界电流值 外延生长 |
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