|
|||||
|
|
| ITO-Si异质结及光电特性 | |
| 作者姓名： | 高启安 |
| 作者单位： | 合肥工业大学应用物理系 |
| 摘 要： | <正> ITO/Si异质结光电器件与p-n结光电池比较具有工艺简单、转换效率高等特点。 ITO是In_2O_3与SnO_2按一定比例的混合物。用电阻加热真空蒸发法制备,避免了环境沾污,得到的特性较好。 ITO有着多种功用,首先ITO为高带隙材料,可用作光电池的光入射窗口,又可作为收集光电流的电极,在基底半导体Si上形成势垒作为SIS结的一层以及抗反射层等。在一定条 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |