| 双栅MOSFET的研究与发展 |
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| 引用本文： | 沈寅华,李伟华.双栅MOSFET的研究与发展[J].微电子学,2000,30(5):290-293. |
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| 作者姓名： | 沈寅华 李伟华 |
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| 作者单位： | 东南大学,微电子中心,江苏,南京,210096 |
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| 摘 要： | 具有特殊结构的双栅ＭＯＳＦＥＴ是一种高速度、低功耗ＭＯＳＦＥＴ器件，符合未来集成电路发展的方向。文章介绍了多种双栅ＭＯＳＦＥＴ的结构、优点，以及近年来国内外对双栅ＭＯＳＦＥＴ的研究成果。
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| 关 键 词： | 双栅结构 MOSFET SOI 集成电路 |
| 修稿时间： | 1999-12-27 |
Research Advances of Double-Gate MOSFET's |
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| SHEN Yin-hua,LI Wei-hua.Research Advances of Double-Gate MOSFET's[J].Microelectronics,2000,30(5):290-293. |
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| Authors: | SHEN Yin-hua LI Wei-hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Double gate structure MOS FET SOI |
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