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| 光加热悬浮区熔法制备(Mo_(0.85)Nb_(0.15))Si_2单相单晶体 | |
| 引用本文： | 姜艳,朱鸥,张澜庭,郁金星,吴建生.光加热悬浮区熔法制备(Mo_(0.85)Nb_(0.15))Si_2单相单晶体[J].机械工程材料,2010(1). |
| 作者姓名： | 姜艳 朱鸥 张澜庭 郁金星 吴建生 |
| 摘 要： | 采用光加热悬浮区熔法制备了(Mo0.85Nb0.15)Si2单晶体,研究了化学成分和生长速度对获得C40结构单晶体的影响。结果表明:采用此法可制备出表面无裂纹的(Mo0.85Nb0.15)Si2单晶体,其尺寸可达8 mm×90 mm,晶体的生长面接近(0001)面,生长形态符合布拉维法则、周期键链(PBC)理论和小面生长理论。 |
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