| 用空间电荷限制电流法测量非晶硅基薄膜的隙态密度 |
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| 引用本文： | 王印月,张亚非,徐希翔,刘宗文,张仿清.用空间电荷限制电流法测量非晶硅基薄膜的隙态密度[J].无机材料学报,1987(3). |
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| 作者姓名： | 王印月 张亚非 徐希翔 刘宗文 张仿清 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理系
(王印月，张亚非，徐希翔，刘宗文)，兰州大学物理系(张仿清) |
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| 摘 要： | 利用常规的层状结构的空间电荷限制电流法,测得了具有一定厚度 d 的 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 和 GD-a-Si_(1-x)N_x∶H 膜不同含量 x 时的隙态分布 N(E):对 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜(d(?)1μm),当 x 为0、0.1、0.8时,平衡费米能级附近处的隙态密度 N(E_(?)~o)分别为2×10~(15)、4×10~(15)、6.2×10~(16)/cm~3·eV,对 GD-a-Si_(1-x)N_x∶H 膜(d(?)1μm),当 x 为0、0.05、0.2时,N(E_F~o)分别为2×10~(15)、3×10~(15)、4.5×10~(16)/cm~3·eV;得到了 GD-a-Si∶H 膜的隙态分布与膜厚度的关系,发现随着膜厚度的增加 N(E_F~o)在减小,当 d<1μm 时,N(E_F~o)约为10~(16)/cm~3·eV 的数量级,当 d>1μm 时,N(E_F~o)约为10~(15)/cm~3·eV 的数量级。对共面电极结构的样品,用温度调制空间电荷限制电流法(TM-SCLC),测得了 GD-a-Si∶H 膜的隙态分布,并对光处理前后的样品进行比较,发现强光照后存在有光诱导效应。我们对所得结果作了初步说明。
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| 关 键 词： | 非晶硅 空间电荷限制电流 隙态密度 |
Measurement of the Density of Gap States in Amorphous Silicon-Based Films by the SCLC Method |
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| Wang Yinyue Zhang Yafei Xu Xixiang Liu Zongwen Zhang Fangqing.Measurement of the Density of Gap States in Amorphous Silicon-Based Films by the SCLC Method[J].Journal of Inorganic Materials,1987(3). |
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| Authors: | Wang Yinyue Zhang Yafei Xu Xixiang Liu Zongwen Zhang Fangqing |
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| Keywords: | Amorphous silicon Space charge limited current Gap state density |
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