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| GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究 | |
| 作者姓名： | 杨晓妍 杨 琏 朱明方 刘 杰 任大翠 |
| 作者单位： | 1长春理工大学,吉林长春130022 ;2. 吉林大学,吉林长春130022 |
| 摘 要： | 研究一种GaAlAs/ GaAs 材料的高功率半导体功率放大激光器(LD - SLA) 。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD) 与半导体功率放大器(SLA) 集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29 %、71 %提高到90 %以上,进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命 |
| 关 键 词： | 大功率LD 半导体功率放大激光器 谐振腔 |
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