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| 硅中的点缺陷的控制和利用 | |
| 引用本文： | 闵靖.硅中的点缺陷的控制和利用[J].上海有色金属,2003,24(3):129-135. |
| 作者姓名： | 闵靖 |
| 作者单位： | 上海市计量测试技术研究院,上海,200233 |
| 摘 要： | 介绍依靠拉晶速度和固液界面处的轴向温度梯度之比，影响空位和自间隙原子在直拉硅单晶中的分布。合理设计热场分布，减少直拉硅单晶中的缺陷。低剂量氧离子注入能降低SIMOX硅片项层硅中的间隙原子浓度，从而降低穿透位错的密度。最近开发了一种称为MDZ的内吸除新技术，通过快速热退火控制硅片中空位浓度的分布，从而得到理想的氧沉淀行为，实现了可靠、可重复的内吸除。 |
| 关 键 词： | 硅 点缺陷 氧沉淀 体微缺陷 穿透位错对 内吸除 快速热退火 半导体器件 |
| 文章编号： | 1005-2046(2003)03-0129-07 |
| 修稿时间： | 2002年12月20 |
Control and Utilization of Point Defect in Silicon |
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| MIN Jing.Control and Utilization of Point Defect in Silicon[J].Shanghai Nonferrous Metals,2003,24(3):129-135. | |
| Authors: | MIN Jing |
| Abstract: | |
| Keywords: | silicon poiont defect oxygen precipitate bulk microdefect threading dislocation pairs internal gettering rapid thermal annealing |
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