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| GOF中型井式内氧化炉 | |
| 引用本文： | 肖运钧.GOF中型井式内氧化炉[J].电工材料,1990(3). |
| 作者姓名： | 肖运钧 |
| 作者单位： | 桂林电器科学研究所 |
| 摘 要： | 一、序言在银金属氧化物触头元件的研制中,用合金内氧化法进行制造的第二代工艺,已发展到用固相扩散粉末预氧化法的第三代工艺。由于粉末法制造的触头元件生产周期长、工艺复杂、成本高,而合金内氧化法生产周期短、工艺简单、易于制取型材、大批量生产生产效率高、易操作、成本低等特点,世界各国至今为止并未放弃这一生产工艺方法,还 |
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