| C掺杂SiGe HBT |
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| 引用本文： | 陈庆华,张庆中. C掺杂SiGe HBT[J]. 微电子学, 2006, 36(3): 296-299 |
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| 作者姓名： | 陈庆华 张庆中 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 硼的瞬时增强扩散(TED)所造成的外扩散将对双极晶体管的性能产生不利影响。在HBT的SiGe区加入C(<1020cm-3),能够抑制掺杂硼的外扩散。文章讨论了C掺杂的SiGe∶CHBT在性能和工艺上的优势。SiGe∶C HBT的静态参数优于普通SiGe HBT。同时,由于SiGe∶C HBT允许高浓度的硼存在于很薄的SiGe基区层,甚至在外延后经注入和退火仍可保持很高浓度的硼掺杂,所以,SiGe∶C HBT的高频特性有很大的提高。
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| 关 键 词： | 瞬时增强扩散 C掺杂SiGe 异质结双极晶体管 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）03-0296-04 |
| 收稿时间： | 2005-09-15 |
| 修稿时间： | 2005-09-152006-02-24 |
Carbon Doped SiGe Heterojunction Bipolar Transistors |
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| CHEN Qing-hua,ZHANG Qing-zhong. Carbon Doped SiGe Heterojunction Bipolar Transistors[J]. Microelectronics, 2006, 36(3): 296-299 |
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| Authors: | CHEN Qing-hua ZHANG Qing-zhong |
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| Affiliation: | Microelec. and Sol. Sta. Electron. Inst., Univ. o f Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu, Sichuan 610054, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Transient enhanced diffusion Carbon doped SiGe Heterojunction bipolar transistor |
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