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| “第5届欧洲SiC及相关材料会议”——重点讨论衬底和外延生长 | |
| 作者姓名： | 邓志杰 |
| 摘 要： | 在意大利召开的(2004年)第5届欧洲SiC及相关材料会议(ECSCRM)的重点是：消除SiC衬底中的微管道，实时改变生长条件以降低GaN／Si异质结中的应变，在Si衬底上生长立方SiC。 |
| 关 键 词： | 相关材料 SiC 第5届 外延生长 会议 欧洲 2004年 生长条件 Si衬底 微管道 意大利 异质结 GaN |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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