| 偏置对PMOS剂量计辐照响应的影响 |
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| 引用本文： | 范隆,张国强,严荣良,艾尔肯,任迪远. 偏置对PMOS剂量计辐照响应的影响[J]. 半导体学报, 2000, 21(2): 179-183 |
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| 作者姓名： | 范隆 张国强 严荣良 艾尔肯 任迪远 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所!乌鲁木齐830011 |
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| 基金项目： | 中国科学院院长基金;; |
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| 摘 要： | 研究了不同偏置条件对ＰＭＯＳ探头样品辐照响应的影响．在－１～１ＭＶ／ｃｍ的电场范围内，获得了偏置对ＰＭＯＳ剂量计辐照响应灵敏度和线性度的影响规律．利用“空穴陷阱薄层（ＨｏｌｅＴｒａｐｓＳｈｅｅｔ）”模型，结合辐射感生界面电荷的栅偏置电场相关性，分析了实验结果．
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| 关 键 词： | 剂量计 PMOS 辐照响应 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)02-0179-05 |
| 修稿时间： | 1998-10-14 |
Influence of Irradiation Bias Field on Response of PMOS Dosimeters |
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| FAN Long,ZHANG Guo|qiang,YAN Rong|liang,Aerkin and REN Di|yuan. Influence of Irradiation Bias Field on Response of PMOS Dosimeters[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 179-183 |
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| Authors: | FAN Long ZHANG Guo|qiang YAN Rong|liang Aerkin REN Di|yuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Dosimeter PMOS Irradiation |
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