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PZT纳米铁电薄膜的生长行为和介电性能及微结构
引用本文:朱信华,朱健民,周舜华,刘治国,闵乃本. PZT纳米铁电薄膜的生长行为和介电性能及微结构[J]. 电子显微学报, 2008, 27(5)
作者姓名:朱信华  朱健民  周舜华  刘治国  闵乃本
作者单位:南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093;南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093;南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093;南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093;南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093
基金项目:江苏省自然科学基金,国家基础科学人才培养基金
摘    要:采用溶胶-凝胶(sol-gel)自旋涂敷法在Si(100)基多孔氧化铝模版介质上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)纳米铁电薄膜(厚度25nm).利用电化学方法在多孔氧化铝模版孔道内(孔径25nm)生长Au纳米线,作为底电板一部分.利用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及场发射透射电镜(FE-TEM)对PZT纳米铁电薄膜的生长行为、表面形貌和微结构进行了研究.XRD谱图表明PZT纳米铁电薄膜具有(111)择优取向;SEM像显示PZT纳米铁电薄膜结构致密,晶粒呈椭球状,平均尺寸为22nm.剖面TEM像证实PZT纳米铁电薄膜与Au纳米线直接接触,它们之间的界面呈现一定程度的弯曲;部分Au纳米线顶端出现分枝展宽现象.介电谱表明PZT纳米铁电薄膜的介电常数在低频区域(频率小于104 Hz)从760迅速下降到100,然后基本保持在100,直至测量频率升高到106 Hz.低频区域内介电常数的迅速下降是由于空间电荷极化机制所致;介电损耗在4 000 Hz附近出现峰值(来源于空间电荷的共振吸收)也证实了空间电荷极化机制的存在.

关 键 词:PZT纳米结构  生长行为  介电性能  微结构  溶胶-凝胶自旋涂敷

Growth behavior,dielectric property and microstructure of PZT nanofilms
ZHU Xin-hua,ZHU Jian-min,ZHOU Shun-hua,LIU Zhi-guo,MIN Nai-ben. Growth behavior,dielectric property and microstructure of PZT nanofilms[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2008, 27(5)
Authors:ZHU Xin-hua  ZHU Jian-min  ZHOU Shun-hua  LIU Zhi-guo  MIN Nai-ben
Affiliation:ZHU Xin-hua,ZHU Jian-min,ZHOU Shun-hua,LIU Zhi-guo,MIN Nai-ben(National Laboratory of Solid State Microstructures,Department of Physics,Nanjing University,Nanjing Jiangsu Jiangsu 210093,China)
Abstract:By sol-gel spin coating method ferroelectric lead zirconate titanate(PZT)nano-films with a thickness of 25 nm were deposited onto Si substrates coated by nanoporous alumina membranes(NAM)with an average pore size of 25 nm,and Au nanowires were embedded in NAM as a part of bottom electrode.The growth behavior,surface morphology,and microstructure of PZT nano-films were characterized by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM),and field-emission transmission electron microscopy(FE-TEM).The XRD...
Keywords:PZT nano-films  growth behavior  dielectric property  microstructure  sol-gel spin coating  
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