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| 16兆位DRAM | |
| 摘 要： | <正> 据日本《JEE》杂心1983年3月号报道,松下、日立和东芝公司宣布制成16兆位DRAM样机,在一块芯片上可集成约3400万只晶体管。 松下公司采用线宽0.5μm技术及开型位线方法,形成1.5×2.2μm的存储单元,以位线和字线相交处形成的沟道环绕之。为了实现这一结构,该公司在每256条实字线处采用赝字线用以消除耦合噪音,为有较高的密度,在每两条位线上排列一个读出放大器。它采用包括水溶性聚合物和γ射线步进机的4层保护膜。松下公司宣布了16兆字×1位和4兆字×4位结构的器件,这两种芯片的尺寸为5.4×17.38mm,存取时间为65毫微秒。 |
16兆位DRAM |
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