| 钛酸锶钡薄膜的电子显微研究 |
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| 引用本文： | 金红政,朱静. 钛酸锶钡薄膜的电子显微研究[J]. 电子显微学报, 2002, 21(5): 687-688 |
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| 作者姓名： | 金红政 朱静 |
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| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程系,北京,100084 |
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| 摘 要： | 传统的硅工业一直按照摩尔定律的预测在向高集成度发展。动态随机存储器的存储密度也需要不断的提高 ,也就是要求同样的信息存储在更小的面积内。传统的方法是通过不断地减小介电层 (非晶ＳｉＯ2 )的厚度来满足动态随机存储器向高集成度发展的要求的。然而 ,当电介质的厚度小到一定程度后 ,电子的隧道穿透效应将会使该器件无法工作 ,这个厚度就是它的极限厚度。约 80年代末期 ,人们开始普遍的关注到这个极限的到来 ,并开始寻找解决的途径。其中最有希望的途径就是利用高介电系数的电介质替换低介电系数的ＳｉＯ2 ,也就是通过提高电介质的介…
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| 关 键 词： | 钛酸锶钡薄膜 电子显微 动态随机存储器 实验研究 界面结构 介电系数 |
A TEM study on (Ba,Sr)TiO3 thin films |
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