| 室温下脉冲激光沉积制备高取向度AlN薄膜 |
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| 引用本文： | 吕磊,李清山,李丽,张立春,齐红霞,王彩凤,郑萌萌. 室温下脉冲激光沉积制备高取向度AlN薄膜[J]. 光电子．激光, 2007, 18(10): 1212-1214 |
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| 作者姓名： | 吕磊 李清山 李丽 张立春 齐红霞 王彩凤 郑萌萌 |
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| 作者单位： | 曲阜师范大学物理系,山东,曲阜,273165;曲阜师范大学物理系,山东,曲阜,273165;鲁东大学,山东烟台,264025;曲阜师范大学物理系,山东,曲阜,273165;曲阜师范大学激光研究所,山东,曲阜,273165 |
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| 基金项目： | 山东省自然科学基金资助项目（Y2002A09） |
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| 摘 要： | 用脉冲激光沉积(PLD)方法,在p-Si(100)衬底上、室温下和不同N2氛围中制备了高度取向的AlN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)仪、傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)对样品的特征进行了研究.结果表明,在从5×10-6～5.0 Pa的N2气压范围内,制备的薄膜都呈现h＜100＞晶向,并且随着气压的升高,样品的结晶度有明显的提高.另外,随着N2浓度的增大,Al-N键的结合度增强,AlN晶粒的尺寸增大,在样品表面出现杂散晶粒,薄膜的粗糙度增大.
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| 关 键 词： | AlN薄膜 脉冲激光沉积(PLD) 高取向度 室温 |
| 文章编号： | 1005-0086（2007）10-1212-03 |
| 修稿时间： | 2006-09-29 |
Highly Oriented AlN Thin Films Grown on Si(100) Substrates at Room Temperature by Pulsed Laser Deposition |
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| LV Lei,LI Qing-shan,LI Li,ZHANG Li-chun,QI Hong-xi,WANG Cai-feng,ZHENG Meng-meng. Highly Oriented AlN Thin Films Grown on Si(100) Substrates at Room Temperature by Pulsed Laser Deposition[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2007, 18(10): 1212-1214 |
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| Authors: | LV Lei LI Qing-shan LI Li ZHANG Li-chun QI Hong-xi WANG Cai-feng ZHENG Meng-meng |
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| Affiliation: | 1. Physics Department of Qufu Normal University,Qufu 273165 ,China; 2. Ludong University, Yantai 264025 ,China3. Laser Institute of Qufu Normal University,Qufu 273165,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN thin films pulsed laser deposition(PLD) highly oriented room temperature |
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