| 一种新型2×2 S0I热光开关 |
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| 引用本文： | 杨笛,余金中,陈少武,陈媛媛.一种新型2×2 S0I热光开关[J].光电子．激光,2007,18(11):1280-12,821,285. |
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| 作者姓名： | 杨笛 余金中 陈少武 陈媛媛 |
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| 作者单位： | [1]中央民族大学物理与电子工程学院,北京100081 [2]中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室,北京100083 |
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| 基金项目： | 国家科技部“973”计划资助项目（G2000-03-66）;中央民族大学青年教师科研基金资助项目（CUN07A） |
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| 摘 要： | 设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫一曾德（MZ）热光开关。这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器，同时，为了保证单模传输和调制，在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构。深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制，有利于自映像质量的提高，从而减少了自映像损耗和不均衡度，同时也提高了制作容差。基于强限制配对干涉耦合器的新型热光开关，其插入损耗为-11．0dB，其中包括光纤波导耦合损耗4．3dB，上升和下降开关时间分别为3．5μs和8．8μs。
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| 关 键 词： | 热光开关 配对多模干涉耦合器 SOI 开关时间 |
| 文章编号： | 1005-0086（2007）11-1280-03 |
| 修稿时间： | 2006-11-29 |
A Novel 2 × 2 SOI Thermo-Optic Switch |
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| YANG Di,YU Jin-zhong,CHEN Shao-wu,CHEN Yan-yan.A Novel 2 × 2 SOI Thermo-Optic Switch[J].Journal of Optoelectronics·laser,2007,18(11):1280-12,821,285. |
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| Authors: | YANG Di YU Jin-zhong CHEN Shao-wu CHEN Yan-yan |
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| Affiliation: | 1. Institutge of Physics and Engineering,Central University for Nationalities,Beijing 100081, China; 2. State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China |
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