| 掺杂B(CH)3的P型a-SiC:H层及a-Si:H电池的P/I界面研究 |
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| 引用本文： | 薛俊明,张德坤,孙建,任慧志,赵颖,耿新华.掺杂B(CH)3的P型a-SiC:H层及a-Si:H电池的P/I界面研究[J].光电子．激光,2007,18(10):1150-1153. |
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| 作者姓名： | 薛俊明 张德坤 孙建 任慧志 赵颖 耿新华 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家“973”规划资助项目（2006CB202602,2006CB202603）;天津市科技发展计划资助项目（06YFGZGX02100） |
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| 摘 要： | 研究了衬底温度、反应气体流量等工艺条件对掺杂B(CH3)3(TMB)的P型氢化非晶硅碳(a-SiC:H)窗口材料性能的影响,获得了电导率达到8.97×10-7 S/cm、光学带隙大于2.0 eV的P型a-SiC:H窗口材料.研究了单结电池P型a-SiC:H窗口层的CH4流量与P、I层制备温度三者间的匹配关系.结果表明,随着衬底温度的提高,需要更多的CH4流量以增大P型窗口层的带隙Eg和电池的短路电流密度Jsc;沉积系统中,P型窗口层的温度比本征吸收层高25～50 ℃时,电池性能较好.研究了3种类型的P/I缓冲层对单结电池性能的影响.大量实验表明,不掺B的C缓冲层适合于低温和小CH4流量情况使用;掺B的C缓冲层 不掺B的C缓冲层适合于高温和大CH4流量情况使用;采用不掺B的C缓冲层的电池光稳定性高于采用B、C渐变缓冲层的电池.研究还表明,采用新型TMB作为P型窗口层掺杂剂的电池比传统采用B2H6作为P型窗口层掺杂剂的电池转换效率提高约1.0%.
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| 关 键 词： | 非晶硅(a-Si)太阳电池 B(CH3)3(TMB) 光学带隙 暗电导 缺陷态密度 |
| 文章编号： | 1005-0086（2007）10-1150-04 |
| 修稿时间： | 2007-01-17 |
Study of B(CH3)3 Doped a-SiC and P/I Interface of a-Si:H Solar Cells |
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| XUE Jun-min,ZHANG De-kun,SUN Jian,REN Hui-zhi,ZHAO Ying,GENG Xin-hua.Study of B(CH3)3 Doped a-SiC and P/I Interface of a-Si:H Solar Cells[J].Journal of Optoelectronics·laser,2007,18(10):1150-1153. |
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| Authors: | XUE Jun-min ZHANG De-kun SUN Jian REN Hui-zhi ZHAO Ying GENG Xin-hua |
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| Affiliation: | Institute of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology ,Nankai University,Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Key Laboratory of Photo-electronic Information Science and Technology, Chinese Ministry of Education, Tianjin 300071, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a-Si solar cells B(CH3)3(TMB) optical band gap dark conductivity defect densities |
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