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| 典型光电子器件辐射效应数值分析与试验模拟方法研究 | |
| 引用本文： | 唐本奇,张勇,肖志刚,黄芳,王祖军,黄绍艳,毛用泽,王峰. 典型光电子器件辐射效应数值分析与试验模拟方法研究[J]. 原子能科学技术, 2005, 39(2): 183-187 |
| 作者姓名： | 唐本奇 张勇 肖志刚 黄芳 王祖军 黄绍艳 毛用泽 王峰 |
| 作者单位： | 1. 西北核技术研究所,陕西,西安,710024;防化研究院,第二研究所,北京,102205 2. 西北核技术研究所,陕西,西安,710024 3. 防化研究院,第二研究所,北京,102205 |
| 摘 要： | 选取Si太阳电池与线阵CCD器件，进行了光电器件辐射效应的数值分析与模拟试验方法研究。分析了光电器件电离效应和位移损伤机理，利用二维器件模拟软件MEDICI，模拟了1MeV电子对n／p型硅太阳电池主要输出参数的影响，包括开路电压Voe、短路电流Isc和最大输出功率Pmax.在一定范围内，计算结果与文献实验数据符合较好。建立了线阵CCD器件辐照效应离线测量系统。利用^60Coγ源，进行了商用器件的总剂量效应试验，给出了暗电流信号和饱和电压信号的变化曲线。 |
| 关 键 词： | 光电器件 辐射效应 数值分析 模拟试验 |
| 文章编号： | 1000-6931(2005)02-0183-05 |
Study on Numerical Analysis and Experiment Simulation Approaches for Radiation Effects of Typical Optoelectronic Devices |
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| TANG Ben-qi,ZHANG Yong,XIAO Zhi-gang,HUANG Fang,WANG Zu-jun,HUANG Shao-yan,MAO Yong-ze,WANG Feng. Study on Numerical Analysis and Experiment Simulation Approaches for Radiation Effects of Typical Optoelectronic Devices[J]. Atomic Energy Science and Technology, 2005, 39(2): 183-187 | |
| Authors: | TANG Ben-qi ZHANG Yong XIAO Zhi-gang HUANG Fang WANG Zu-jun HUANG Shao-yan MAO Yong-ze WANG Feng |
| Affiliation: | TANG Ben-qi~ |
| Abstract: | |
| Keywords: | optoelectronic device radiation effect numerical analysis simulation experiment |
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