| CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能 |
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| 引用本文： | 敖建平,孙云,刘琪,何青,孙国忠,刘芳芳,李凤岩. CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能[J]. 太阳能学报, 2006, 27(7): 682-686 |
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| 作者姓名： | 敖建平 孙云 刘琪 何青 孙国忠 刘芳芳 李凤岩 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 天津300071(敖建平，孙云，何青，孙国忠，刘芳芳，李凤岩)，南昌航空工业学院材料系 南昌330034(刘琪) |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);南开大学校科研和教改项目;教育部重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中,化学沉积CdS半导体薄膜,薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系,表明薄膜的生长速度是由OH-和SC(NH2)2的扩散传质为控制步骤。CdS薄膜的电阻率在104~105Ω.cm之间。CdS薄膜的晶格在乙酸胺浓度较小时,为六方晶和立方晶混合结构;乙酸胺浓度较大时,为立方晶结构。利用六方晶与立方晶混合的CdS制备的CIGS太阳电池,光电转换效率最大可达12.1%,3.5×3.6cm2小面积组件为6.6%。立方相CdS制备的最佳电池效率达到12.17%。两种晶相结构的CdS薄膜对CIGS太阳电池的性能影响没有明显的差别。
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| 关 键 词： | CBD CdS薄膜 CIGS太阳电池 |
| 文章编号： | 0254-0096（2006）07-0682-05 |
| 收稿时间： | 2005-02-26 |
| 修稿时间： | 2005-02-26 |
DEPOSITED TECHNOLOGY AND PHOTO-ELECTRIC PROPERTIES OF CdS THIN FILMS |
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| Ao Jianping,Sun Yun,Liu Qi,He Qing,Sun Guozhong,Liu Fangfang,Li Fengyan. DEPOSITED TECHNOLOGY AND PHOTO-ELECTRIC PROPERTIES OF CdS THIN FILMS[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 2006, 27(7): 682-686 |
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| Authors: | Ao Jianping Sun Yun Liu Qi He Qing Sun Guozhong Liu Fangfang Li Fengyan |
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| Affiliation: | Ao Jianping~1,Sun Yun~1,Liu Qi~2,He Qing~1,Sun Guozhong~1,Liu Fangfang~1,Li Fengyan~1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CBD CdS thin film CIGS solar cells |
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