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非晶SiO_xN_y薄膜的发光特性研究
引用本文:徐小华,李群,游泳,刘义保. 非晶SiO_xN_y薄膜的发光特性研究[J]. 现代制造工程, 2010, 0(5)
作者姓名:徐小华  李群  游泳  刘义保
作者单位:东华理工大学物理系,抚州,344000
基金项目:2008年教育部科技研究重点资助项目 
摘    要:采用双离子束溅射沉积法制备SiOxNy复合非晶薄膜,傅里叶变换红外光谱(FTIR)及X射线衍射谱(XPS)测试表明,薄膜成分由Si、O、N元素组成,在室温下可观察到样品有波长为400nm(紫光)、470nm(蓝光)的光致发光。根据测试结果分析研究SiOxNy薄膜的可能发光机理:波长为470nm处发光峰来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷(O2≡Si-Si≡O2),是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化,800℃时最大,高于800℃时慢慢减弱;波长为400nm发光峰的发射与薄膜中的Si、O、N元素所形成的结构有关,它可能来自于Si、O、N元素结构所形成的发光中心,该峰位的强度随退火温度的升高而增强。

关 键 词:非晶  薄膜  光致发光

Luminescence characteristic of amorphous SiOxNy thin film
XU Xiao-hua,LI Qun,YOU Yong,LIU Yi-bao. Luminescence characteristic of amorphous SiOxNy thin film[J]. Modern Manufacturing Engineering, 2010, 0(5)
Authors:XU Xiao-hua  LI Qun  YOU Yong  LIU Yi-bao
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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