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硅基多孔氧化铝薄膜微结构的TEM研究
引用本文:赵小宁,濮林,吴俊辉,邹建平,朱健民,鲍希茂,冯端. 硅基多孔氧化铝薄膜微结构的TEM研究[J]. 电子显微学报, 2000, 19(4): 473-474
作者姓名:赵小宁  濮林  吴俊辉  邹建平  朱健民  鲍希茂  冯端
作者单位:1. 南京大学现代分析中心,南京,210093
2. 南京大学物理系固体微结构国家实验室,南京,210093
基金项目:国家自然科学基金资助项目! (5 9832 10 0 ),攀登计划资助项目
摘    要:阳极氧化多孔氧化铝薄膜(anodicporousaluminafilm,APA)作为模板的应用已引起广泛关注。它的优点在于其主要的特征参数如孔径(1~300nm)、孔长(10~3000nm)及孔密度(108~1011cm-2)都可以用选择不同腐蚀电压的方法来加以控制,孔的长度直径比可达1000以上[1],而且在理想的APA膜中,孔阵列规则排列为蜂巢状六方结构[2]。这一特点为大面积原位合成规则排列纳米量子点/线材料提供了重要保证。考虑到和当前主流硅集成半导体工业相匹配,硅基多孔氧化铝薄膜(Si-basedanodicporousaluminafilm,APA/Si)的应用已见报道[3,4]。我们研究发现当孔径小…

关 键 词:硅基 多孔氧化铝薄膜 微结构 TEM

TEM study of silicon-based anodic porous alumina film
ZHAO Xiao-ning,PU Lin,WU Jun-hui,ZOU Jian-ping,ZHU Jian-min,BAO Xi-mao,FENG Duan. TEM study of silicon-based anodic porous alumina film[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2000, 19(4): 473-474
Authors:ZHAO Xiao-ning  PU Lin  WU Jun-hui  ZOU Jian-ping  ZHU Jian-min  BAO Xi-mao  FENG Duan
Abstract:
Keywords:
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