| GaP LPE半导体材料的扫描电子显微镜研究 |
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| 引用本文： | 李永良,杨锡震,李桂英,王亚非.GaP LPE半导体材料的扫描电子显微镜研究[J].现代仪器,1998(3). |
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| 作者姓名： | 李永良 杨锡震 李桂英 王亚非 |
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| 作者单位： | 北京师范大学分析测试中心，北京师范大学分析测试中心，北京师范大学分析测试中心，北京师范大学分析测试中心 北京 100875，北京 100875，北京 100875，北京 100875 |
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| 摘 要： | 本文论述了用扫描电子显微镜研究GaP LPE半导体材料,二次电子像用于分析样品的表面形貌,电子束感生电流像(EBIC)用于显示p-n结的位置,定量EBIC用以确定少子扩散长度和表面复合速度等重要参量。
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| 关 键 词： | GaP 二次电子像 电子束感生电流(EBIC) |
The Study of GaP LPE Semiconductor Material Useing SEM |
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| Li Yongliang Yang Xizhen Li Guiying Wang Yafei.The Study of GaP LPE Semiconductor Material Useing SEM[J].Modern Instruments,1998(3). |
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| Authors: | Li Yongliang Yang Xizhen Li Guiying Wang Yafei |
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| Abstract: | GaP LPE semiconductor material has been studied in this paper. The surface micrograph is analyzed by second electron (SE) image.The site of p- n junction is displayed by electron beam induced current (EBIC) image. Some important parameters (minority diffusion length, surface recombination parameters) are obtained by quantitative EBIC. |
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| Keywords: | GaP Second electron image Electron beam induced current |
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