| SiGe MOS器件SiO2栅介质低温制备技术研究 |
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| 引用本文： | 李竞春,杨沛峰,杨谟华,谭开洲,何林,郑娥. SiGe MOS器件SiO2栅介质低温制备技术研究[J]. 微电子学, 2001, 31(3): 192-194 |
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| 作者姓名： | 李竞春 杨沛峰 杨谟华 谭开洲 何林 郑娥 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学,
2. 信息产业部电子第二十四研究所, |
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| 基金项目： | 模拟集成电路国家重点实验室资助项目 |
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| 摘 要： | 为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜，采用等离子增强化学汽相沉积（PECVD）工艺，对低温300℃下薄膜制备技术进行了研究。实验表明，采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中电荷密度和界面态密度。该技术用于SiGe PMOSdgrm,在300K常温和77K低温下，其跨导分别达到45mS/mm和92．5mS/mm(W/L=20μm/2μm).
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| 关 键 词： | 栅介质薄膜 低温制备 锗化硅 MOS器件 二氧化硅 |
| 文章编号： | 1004-3365(2001)03-0192-03 |
| 修稿时间： | 2000-08-01 |
Low Temperature Preparation of SiO2 Gate Insulators for SiGe PMOSDevices |
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