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铁电薄膜Bi3.2Nd0.8Ti3O12的制备及其特性的研究
引用本文:王宁章 李兴教. 铁电薄膜Bi3.2Nd0.8Ti3O12的制备及其特性的研究[J]. 压电与声光, 2005, 27(5): 523-525
作者姓名:王宁章 李兴教
作者单位:[1]华中科技大学电子系,湖北武汉430074 [2]广西大学计算机与电子信息学院,广西南宁530004
基金项目:广西大学基金资助项目(X002081);武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室基金资助项目
摘    要:用脉冲激光淀积法成功地在p-Si底片上制备了高c轴取向的Bi3.2Nd0.8Ti3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性。研究表明,用钕Nd替代Bi的3.2Nd0.8Ti3O12薄膜具有较好电滞回线(P-E),在应用电压为10V,测试频率为1MHz下,其剩余极化(Pr)及矫顽场(E)分别达到27μC/cm^2和70kV/cm。更为重要的是,Au/Bi3.20Nd0.80Ti3O12/p-Si(100)电容在读/写开关次数达到10^10后仍表现出较好的抗疲劳特性。

关 键 词:铁电薄膜 Bi3.2Nd0.8Ti3O12 剩余极化 脉冲激光淀积
文章编号:1004-2474(2005)05-0523-03
收稿时间:2005-03-18
修稿时间:2005-03-18

Studies of the Preparation and Characterization of Bi3.2Nd0.8Ti3O12 Ferroelectric Thin Films
WANG Ning-zhang ,LI Xing-jiao(. Dept. of Solid State Electronics, Huazhong University of Science. Studies of the Preparation and Characterization of Bi3.2Nd0.8Ti3O12 Ferroelectric Thin Films[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2005, 27(5): 523-525
Authors:WANG Ning-zhang   LI Xing-jiao(. Dept. of Solid State Electronics   Huazhong University of Science
Affiliation:WANG Ning-zhang ,LI Xing-jiao(1. Dept. of Solid State Electronics, Huazhong University of Science
Abstract:
Keywords:ferroelectric films    Bi3.2Nd0.8Ti3O12    remanent polarization    pulsed excimer laser deposition
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