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| 一个用于深亚微米电路模拟的MOSFET解析模型 | |
| 引用本文： | 张文良,田立林,杨之廉.一个用于深亚微米电路模拟的MOSFET解析模型[J].半导体学报,1999,20(2):113-121. |
| 作者姓名： | 张文良 田立林 杨之廉 |
| 作者单位： | 清华大学微电子所 |
| 摘 要： | 本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应．模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区，可以保证无穷阶连续．不仅适用于数字电路，而且可用于模拟电路的设计．模型计算的结果与实测器件的结果十分一致． |
| 关 键 词： | MOSFET 深亚微米电路 IC 模型 |
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