晶格热振动对极性半导体膜中电子—表面声子强耦合极化子自陷能的影响 |
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作者姓名: | 额尔敦朝鲁 李树深 等 |
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作者单位: | [1]内蒙古民族大学物理系,通江028043 [2]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083 |
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摘 要: | 采用Huybrechts线性组合算符和变分法,讨论了晶格热振劝对极性半导体膜中电子-表面光学(SO)声子强耦合和电子-体纵光学(LO)声子弱耦合体系的影响,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律,对CdF2半导体膜进行了数值计算,结果表明,CdF2极性半导体膜中光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用。并且发现CdF2半导体膜小的中不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小,这表明晶格热振动将削弱电子-声子耦合。
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关 键 词: | 电子-声子强耦合 极化子 自陷能 温度依赖性 晶格热振动 极性半导体膜 |
文章编号: | 0253-4177(2001)06-0715-06 |
修稿时间: | 2000-07-20 |
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