| 感应耦合等离子刻蚀InP工艺 |
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| 引用本文： | 陈磊,张靖,张瑞康,江山.感应耦合等离子刻蚀InP工艺[J].功能材料与器件学报,2007,13(3):276-280. |
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| 作者姓名： | 陈磊 张靖 张瑞康 江山 |
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| 作者单位： | 武汉光迅科技股份有限公司,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用Cl2/CH4/N2感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀.系统地讨论了RF功率、ICP功率、反应腔压力、气体流量等工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响.通过优化工艺参数,获得了光滑垂直的InP刻蚀端面,刻蚀速率达到841 nm/min,与SiO2的选择比达到15:1.
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| 关 键 词： | 干法刻蚀 感应耦合等离子体 InP 刻蚀端面 |
| 文章编号： | 1007-4252（2007）03-0276-05 |
| 修稿时间： | 2006-05-18 |
Inductively coupled plasma etching of InP |
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| CHEN Lei,ZHANG Jing,ZHANG Rui-kang,JIANG Shan.Inductively coupled plasma etching of InP[J].Journal of Functional Materials and Devices,2007,13(3):276-280. |
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| Authors: | CHEN Lei ZHANG Jing ZHANG Rui-kang JIANG Shan |
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| Affiliation: | Accelink Technologies Co., Ltd, Wuhan 430074, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | dry etching Inductively coupled plasma InP etched facet |
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