| 低温生长垂直场多量子阱光折变器件的工作特性研究 |
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| 引用本文： | 陆沅,张治国,张燕锋,李春勇,黄绮,付盘铭,陈宏智,吕兰斌,汤浚维.低温生长垂直场多量子阱光折变器件的工作特性研究[J].量子电子学报,1999(6). |
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| 作者姓名： | 陆沅 张治国 张燕锋 李春勇 黄绮 付盘铭 陈宏智 吕兰斌 汤浚维 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所光物理实验室、凝聚态中心!北京１０００８０，中国科学院物理研究所光物理实验室、凝聚态中心!北京１０００８０，中国科学院物理研究所光物理实验室、凝聚态中心!北京１０００８０，中国科学院物理研究所光物理实验室、凝聚态中心!北京１０００８０，中国科 |
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| 摘 要： | 本文对低温生长的垂直场ＭＱＷｓ光折变器件电吸收瞬态特性进行了研究，在分析垂直场ＭＱＷｓ器件结构后，我们认为电光层并不单独由多量子阱层构成，而是包括多量子阱层和两边低温生长的缓冲层构成，为此，我们提出了改进的阻容模型，并用这一模型很好地解释ＴＭＱＷｓ光折变器件电吸收瞬态特性的实验结果，同时对ＭＱＷｓ器件性能的提高提出了建议．本文还对垂直场ＭＱＷｓ光折变器件的读光、写光与衍射效率关系进行了研究，给出了垂直场ＭＱＷｓ器件工作的最佳光强条件，并对实验现象进行了解释，指出了由于同样是读光、写光增强导致器件…
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