低温生长垂直场多量子阱光折变器件的工作特性研究 |
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引用本文: | 陆沅,张治国,张燕锋,李春勇,黄绮,付盘铭,陈宏智,吕兰斌,汤浚维.低温生长垂直场多量子阱光折变器件的工作特性研究[J].量子电子学报,1999(6). |
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作者姓名: | 陆沅 张治国 张燕锋 李春勇 黄绮 付盘铭 陈宏智 吕兰斌 汤浚维 |
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作者单位: | 中国科学院物理研究所光物理实验室、凝聚态中心!北京100080,中国科学院物理研究所光物理实验室、凝聚态中心!北京100080,中国科学院物理研究所光物理实验室、凝聚态中心!北京100080,中国科学院物理研究所光物理实验室、凝聚态中心!北京100080,中国科 |
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摘 要: | 本文对低温生长的垂直场MQWs光折变器件电吸收瞬态特性进行了研究,在分析垂直场MQWs器件结构后,我们认为电光层并不单独由多量子阱层构成,而是包括多量子阱层和两边低温生长的缓冲层构成,为此,我们提出了改进的阻容模型,并用这一模型很好地解释TMQWs光折变器件电吸收瞬态特性的实验结果,同时对MQWs器件性能的提高提出了建议.本文还对垂直场MQWs光折变器件的读光、写光与衍射效率关系进行了研究,给出了垂直场MQWs器件工作的最佳光强条件,并对实验现象进行了解释,指出了由于同样是读光、写光增强导致器件…
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