质子辐照钼退火行为的正电子寿命谱学研究 |
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作者单位: | 中国科学院近代物理研究所 兰州
(陈克勤,朱智勇,陈家超,徐荣辉),中国科学院近代物理研究所 兰州(王志光) |
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摘 要: | 室温下用3.2MeV质子对多晶纯钼样品进行了辐照,用正电子寿命测量技术研究了辐照损伤及晶格缺陷在293~1138K温区内的退火行为,得出了许多有关空位团生长以及氢-缺陷相互作用的信息。辐照后在Mo中产生2~3个空位的聚集体,其浓度随辐照剂量增加而增加。从所测得正电子寿命、强度参数的变化获知高温退火后空位团的增长行为以及氢原对空位团长大的影响。
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