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用于GaAs半导体探测器的电荷灵敏前置放大器的设计
引用本文:王玉,张永明,李澄,吴瑞生,陈宏芳,汪晓莲.用于GaAs半导体探测器的电荷灵敏前置放大器的设计[J].核电子学与探测技术,2000,20(2):105-107,123.
作者姓名:王玉  张永明  李澄  吴瑞生  陈宏芳  汪晓莲
作者单位:中国科学技术大学近代物理系,合肥,230027
基金项目:中国科学院资助项目,中国科技大学校科研和教改项目,,,,
摘    要:介绍了一种用于GaAs半导体探测器,以场效应管和集成运放为主要器件的低噪声的电荷灵敏前置放大器的设计.设计性能指标达到:电荷灵敏度2×1012 V/C,等效噪声电荷<100(电子-空穴),上升时间<10 ns.

关 键 词:GaAs半导体探测器  前置放大器设计  电荷灵敏
文章编号:0258-0934(2000)02-0105-03

Charge sensitive preamplifier designed by integrated operational amplifier for GaAs detector
WANG Yu,ZHANG Yong-ming,LI Cheng,WU Rui-sheng,CHEN Hong-fang,WANG Xiao-lian.Charge sensitive preamplifier designed by integrated operational amplifier for GaAs detector[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2000,20(2):105-107,123.
Authors:WANG Yu  ZHANG Yong-ming  LI Cheng  WU Rui-sheng  CHEN Hong-fang  WANG Xiao-lian
Affiliation:WANG Yu,ZHANG Yong-ming,LI Cheng,WU Rui-sheng,CHEN Hong-fang,WANG Xiao-lian (Dept of Modern Physics,University of Science and Technology of China,Hefei 230027)
Abstract:
Keywords:GaAs semiconductor detector  charge sensitivity
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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