| 表面SiO2改性高选择性MOS氢气传感器 |
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| 引用本文： | 何泽,张覃轶,薛妞子.表面SiO2改性高选择性MOS氢气传感器[J].传感技术学报,2018,31(7):1005-1011. |
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| 作者姓名： | 何泽 张覃轶 薛妞子 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉,430070 |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金项目(2015j0004) |
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| 摘 要： | 以十甲基环五硅氧烷(D5)为硅源,采用化学气相沉积法(CVD)在SnO2气体传感器表面沉积SiO2膜作为改性层,研究了CVD处理过程中温度和处理时间对传感器的选择性和灵敏性影响.通过对乙醇、丙酮、苯和氢气的气敏性能测试,得出在500℃下CVD处理8 h后的SnO2传感器对氢气具有最好的选择性和灵敏性.同时讨论了SiO2改性层提高SnO2传感器选择性和灵敏性的机理.
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| 关 键 词： | 气体传感器 SiO2改性层 氢气 选择性 |
Highly Selective MOS Hydrogen Gas Sensor Using the SiO2 Modified Layers |
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| HE Ze,ZHANG Qinyi,XUE Niuzi.Highly Selective MOS Hydrogen Gas Sensor Using the SiO2 Modified Layers[J].Journal of Transduction Technology,2018,31(7):1005-1011. |
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| Authors: | HE Ze ZHANG Qinyi XUE Niuzi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | gas sensor SiO2 modified layers hydrogen selectivity |
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