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坡印廷矢量方向上电容的等效模拟器件设计
引用本文:饶波,王鑫,李美玲.坡印廷矢量方向上电容的等效模拟器件设计[J].传感器与微系统,2018(7):75-77.
作者姓名:饶波  王鑫  李美玲
作者单位:江南大学物联网工程学院,江苏无锡,214122 中国科学技术大学信息科学技术学院,安徽合肥,230027
基金项目:江苏省自然科学基金资助项目(BK20140166)
摘    要:平面电磁波入射到吸波结构(如频率选择性表面)上时,吸波结构中能与电磁波电场和磁场分量作用的部分可被等效为电感或电容.但由于平面电磁波在传播方向(坡印廷矢量方向)并无电场和磁场分量,使得坡印廷矢量方向电容很难找到等效的物理器件实现.针对这一问题,设计了一种可以产生平行于坡印廷矢量方向的衍生电场的等效器件,从而在空间中形成平行于(而不是垂直于)坡印廷矢量方向的电容.利用等效电路法求所设计器件的等效电路,并对两者全波仿真.仿真结果表明:在0~1 GHz频段内两者的S参数基本吻合,即所设计的器件可以作为平行于坡印廷矢量方向的电容的等效器件.

关 键 词:坡印廷矢量  频率选择性表面  等效电路法  等效器件  全波仿真

Design of equivalent analog device for capacitance in direction of Poynting vector
RAO Bo,WANG Xin,LI Mei-ling.Design of equivalent analog device for capacitance in direction of Poynting vector[J].Transducer and Microsystem Technology,2018(7):75-77.
Authors:RAO Bo  WANG Xin  LI Mei-ling
Abstract:
Keywords:
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