| 一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型 |
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| 引用本文： | 姜凡,尹雪松,刘忠立.一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型[J].微电子学,2005,35(2):138-141. |
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| 作者姓名： | 姜凡 尹雪松 刘忠立 |
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| 作者单位： | 中国科学院,半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 文章描述了PD SOI器件的体接触失效过程,介绍了一种PD SOI器件一级近似体接触电阻计算方法;提出了一种实用的体接触电阻及其版图寄生参数的模型化方法.最后,应用体接触模型,设计了一个应用于0.8 μm PD SOI 128k SRAM的灵敏放大器,给出了仿真结果.
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| 关 键 词： | 部分耗尽 绝缘体上硅 体接触 浮体效应 |
| 文章编号： | 1004-3365(2005)02-0138-04 |
A Simulation Model of Body-Contact for Partially Depleted SOI Devices |
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| JIANG Fan,YIN Xue-song,LIU Zhong-li.A Simulation Model of Body-Contact for Partially Depleted SOI Devices[J].Microelectronics,2005,35(2):138-141. |
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| Authors: | JIANG Fan YIN Xue-song LIU Zhong-li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Partial depletion Silicon-on-insulator Body-contact Floating body effect |
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