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掺杂ZnO-B2O3低温烧结BiNbO4介质陶瓷的研究
引用本文:张启龙,杨辉,魏文霖,王信权,陆德龙. 掺杂ZnO-B2O3低温烧结BiNbO4介质陶瓷的研究[J]. 硅酸盐通报, 2004, 23(4): 79-81,90
作者姓名:张启龙  杨辉  魏文霖  王信权  陆德龙
作者单位:浙江大学材料与化工学院,杭州,310027;浙江正原电气股份有限公司,嘉兴,314003
基金项目:浙江省重大科技攻关基金项目(0221101562).
摘    要:研究了烧结助剂ZnO-B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响.结果表明ZnO-B2O3形成晶界玻璃相存在于晶粒之间,促进烧结,大幅度降低BiNbO4陶瓷的烧结温度,促使瓷体晶粒尺寸均匀和致密;但ZB的质量分数大于3%,阻碍晶粒长大,破坏晶体结构和排列,导致材料的缺陷和本征损耗增加,从而降低材料的介电性能.ZnO-B2O3的掺杂量以1%为最佳,在880℃保温4h,可达到97%理论密度,在100MHz测试频率下,εr=42,tanδ<1.5×10-3.

关 键 词:低温烧结  介电性能  微波介质陶瓷  BiNbO4陶瓷

A Study on Low Temperature Sintered BiNbO4 Dielectric Ceramics Doped by ZnO-B2O3
Zhang Qilong Yang Hui Wei Wenling Wang Xinquan Lu Delong. A Study on Low Temperature Sintered BiNbO4 Dielectric Ceramics Doped by ZnO-B2O3[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2004, 23(4): 79-81,90
Authors:Zhang Qilong Yang Hui Wei Wenling Wang Xinquan Lu Delong
Abstract:
Keywords:Dielectric properties low temperature sintering microwave dielectric ceramic BiNbO4 ceramic
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