| 水热合成法制备PZT压电薄膜工艺研究 |
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| 引用本文： | 杜立群,赵海波,吕岩. 水热合成法制备PZT压电薄膜工艺研究[J]. 中国机械工程, 2005, 16(Z1): 464-466 |
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| 作者姓名： | 杜立群 赵海波 吕岩 |
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| 作者单位： | 大连理工大学精密与特种加工技术教育部重点实验室,大连,116023 |
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| 基金项目： | 教育部留学基金，辽宁省大连市科研项目 |
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| 摘 要： | 对水热合成法制备Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)薄膜的原理进行了讨论,以钛、锆的醇盐和硝酸铅等为原料制备出PZT压电薄膜,利用X射线衍射对PZT压电薄膜的成分进行了分析,利用扫描电子显微镜(SEM)对PZT晶体形成过程的变化进行了分析.X射线衍射分析表明,晶体成核阶段,PbZrO3(PZ)成分较多,晶体生长阶段,PZ成分减少,PZT成分逐渐增多.2次重复生长过程后,SEM扫描图像所得为四方形PZT晶体,颗粒平均尺寸为5μm,与Shimomura和Kanda实验所得的PZT晶体颗粒在大小和形状上基本相同,为钙钛矿型结构.
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| 关 键 词： | 水热合成法 压电薄膜 |
| 文章编号： | 1004-132X(2005)S1-0464-03 |
| 修稿时间： | 2005-03-28 |
Preparation of PZT Thin Film by Hydrothermal Method |
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| Du Liqun,Zhao Haibo,Lü Yan. Preparation of PZT Thin Film by Hydrothermal Method[J]. China Mechanical Engineering, 2005, 16(Z1): 464-466 |
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| Authors: | Du Liqun Zhao Haibo Lü Yan |
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| Keywords: | PZT MEMS |
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