| 化学溶液沉积法制备Bi4Ti3O12铁电薄膜及其性质的研究 |
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| 作者单位： | 肖卓炳（吉首大学生化学院，湖南 吉首
416000）;吴显明（吉首大学生化学院，湖南 吉首 416000）;王弘（山东大学晶体材料国家重点实验室，山东 济南
250100）;王卓（山东大学晶体材料国家重点实验室，山东 济南
250100）;尚淑霞（山东大学晶体材料国家重点实验室，山东 济南
250100）;王民（山东大学晶体材料国家重点实验室，山东 济南
250100） |
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| 摘 要： | 报道了用化学溶液沉积法采用价格低廉的原料在电阻率为6～9Ω·cm的n型Si(100)衬底上生长Bi4Ti3O12铁电薄膜，并对薄膜的性质进行了研究。结果表明此制膜工艺简单，成本低，制备的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有较低的结晶温度，且薄膜均匀，致密，无裂纹。在650℃下退火30min时得到的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有良好的绝缘性和铁电性，薄膜的剩余极化Pr＝4.9μC/cm2，矫顽电场Ec＝87kV/cm。
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| 关 键 词： | 化学溶液沉积法 铁电薄膜 X射线衍射 |
| 文章编号： | 0367-6358(2001)06-0283-03 |
| 修稿时间： | 2000年8月8日 |
Preparation and Characterization of Bi4Ti3O12
Thin Films by Chemical Solution Deposition Technique |
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