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| 国外PtSi-SBIRFPA的技术进展及市场前景 | |
| 引用本文： | 程开富.国外PtSi-SBIRFPA的技术进展及市场前景[J].四川真空,2003(1):45-55. |
| 作者姓名： | 程开富 |
| 摘 要： | 本文全面深入地介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列(PtSi-SBIRFPA)的技术进展及市场前景．从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi单片式红外焦平面陈列(PtSi-MIRFPA)与InSb和HgCdTe混合式红外焦平面阵列(InSb和HgCdTeHIRFPA)技术作了详细的比较，评述了PtSi-MIRFPA技术的发展现状和面临的现实，分析了PtSi-MIRFPA技术的应用范围，目前的市场状况和今后的技术前景。 |
| 关 键 词： | PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列 PtSi-SBIRFPA 红外探测器 红外辐射信号 像素 响应 |
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