用~(16)O(α,α)~(16)O共振散射研究氧杂质对WSi_2形成及其性质的影响 |
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引用本文: | 丁训良,王忠烈,钱亚宏.用~(16)O(α,α)~(16)O共振散射研究氧杂质对WSi_2形成及其性质的影响[J].核技术,1987(9). |
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作者姓名: | 丁训良 王忠烈 钱亚宏 |
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作者单位: | 北京师范大学低能核物理研究所
(丁训良,王忠烈),北京师范大学低能核物理研究所(钱亚宏) |
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摘 要: | 用~(16)O(α,α)~(15)O共振散射在E_R=3.042MeV共振,分析样品中氧含量及浓度分布,研究了离子束混合引起的W-Si多层薄膜间的反应及形成的WSi_2薄膜性质与膜中氧杂质浓度的关系,氧的再分布与退火温度的关系。发现随着退火温度升高,氧朝表面扩散。形成硅化物时氧从硅化物中排出,并在表面和硅化物与单晶硅衬界面积累。在350℃下用As离子辐照时,含氧较低的样品直接形成六角WSi_2相,含氧较高的样品没有得到六角WSi_2相。含氧较少的样品,在离子束辐照下混合较均匀,形成的二硅化钨薄膜有较大的晶粒和较小的电阻。
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关 键 词: | 共振散射 氧杂质 离子束混合 难熔金属硅化物 |
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