用有机金属化学汽相淀积法制成半导体激光器

日本古河电工借助于有机金属化学汽相淀积(MOCVD)法最近研制成日本首批砷化镓埋入式半导体激光器。用MOCVD法制作半导体激光器，与一般使用的液相生长法相比，具有优越的膜厚控制性能，可制成均质、表面缺陷少的结晶薄膜，此外，可使用面积较以往大得多的薄膜，能大幅度降低成本。