日本电气中央研究所研制出1.5μm波长隐埋波导InGaAsP-InP激光器 |
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引用本文: | 刘旭东.日本电气中央研究所研制出1.5μm波长隐埋波导InGaAsP-InP激光器[J].微纳电子技术,1981(2). |
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作者姓名: | 刘旭东 |
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摘 要: | <正> 日本电气中央研究所今年10月在日本举行的第41届应用物理学会学术讲演会上发表了关于 InGaAsP-InP 激光器的横模控制的报告。其横模控制是用隐埋的平凸台面肋骨波导(Bu-ried Rib Waveguide:BRW)构造实现的。器件的性能结果良好。器件的制作是:用液相外延法在 InP 衬底上依次生长 n-InP(缓冲层,~3μm)InGaAsP(有源层~0.22μm),p-InGaAsP(波导层0.58μm),p-InP(包层,~1.8μm);接着刻
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