封闭条件下温度对气隙放电影响的模拟研究

气隙缺陷往往导致局部放电(PD)现象，局放的发展过程与放电条件密切相关，通过放电的宏观表征来分析判断放电条件，是实现绝缘条件评估的重要途径。以温度对气隙缺陷下局放过程的影响为例，通过建立温度条件对放电过程的参数控制模型，研究了不同温度对其微观发展过程的影响，得到了不同温度条件下的宏观表征。仿真研究表明，在封闭条件下，温度的升高会影响放电过程中的电子密度分布以及电场分布。在303、323和343 K的条件下模拟放电过程，其电流峰值依次为0.479、0.356和0.261 A,随温度升高逐渐下降；此外其电流脉冲持续时间依次为19.261、15.516和13.438 ns,随温度升高逐渐变短。最后，实地测量了不同温度下的放电电流，获得了与仿真模型一致的结果。