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ZnO掺杂Li+陶瓷靶及溅射膜制备工艺研究
引用本文:陈祝,张树人,杜善义,杨成韬,孙明霞,郑泽渔,李波,董加和. ZnO掺杂Li+陶瓷靶及溅射膜制备工艺研究[J]. 功能材料, 2006, 37(4): 583-586,590
作者姓名:陈祝  张树人  杜善义  杨成韬  孙明霞  郑泽渔  李波  董加和
作者单位:电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;哈尔滨工业大学,复合材料研究所,黑龙江,哈尔滨,150001
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:利用固相反应成功地制备了直径为70mm,厚度为10~15mm的掺杂Li离子ZnO陶瓷靶材.研究了不同摩尔浓度的Li离子掺杂靶材,并对其绝缘电阻与损耗进行了分析比较,最终确定Li离子的最佳掺杂量为2.2l%(摩尔分数).同时通过在不同温度烧结试验、不同成型压力试验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺,并通过所制备的ZnO-Li0.022陶瓷靶,采用RF射频磁控溅射技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向、均匀、致密的ZnO薄膜.

关 键 词:陶瓷靶  氧化锌薄膜  射频磁控溅射  择优取向
文章编号:1001-9731(2006)04-0583-04
收稿时间:2005-08-23
修稿时间:2005-08-232005-10-26

The experimental investigation on preparation of Li-doped ZnO ceramic targets and sputtering thin films
CHEN Zhu,ZHANG Shu-ren,DU Shan-yi,YANG Cheng-tao,SUN Ming-xia,ZHENG Ze-yue,LI Bo,DONG Jia-he. The experimental investigation on preparation of Li-doped ZnO ceramic targets and sputtering thin films[J]. Journal of Functional Materials, 2006, 37(4): 583-586,590
Authors:CHEN Zhu  ZHANG Shu-ren  DU Shan-yi  YANG Cheng-tao  SUN Ming-xia  ZHENG Ze-yue  LI Bo  DONG Jia-he
Affiliation:1. School of Microelectronics and Solid State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China; 2. Center for Composite Materials, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001 ,China
Abstract:
Keywords:ceramic target  zinc oxide films   RF magnetron sputtering    preferred orientation
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