| 碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究 |
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| 引用本文： | 王琪琨,朱长纯,田昌会,史永胜.碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究[J].电子器件,2004,27(4):543-546. |
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| 作者姓名： | 王琪琨 朱长纯 田昌会 史永胜 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子与信息工程学院,西安,710049;西安交通大学电子与信息工程学院,西安,710049;西安交通大学电子与信息工程学院,西安,710049;西安交通大学电子与信息工程学院,西安,710049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 ( No.60 0 3 60 1 0 )，西安交通大学自然科学基金项目 ( No.0 90 0 5 73 0 3 5 )资助课题 |
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| 摘 要： | 研究了制备碳纳米管(CNT)场发射阴极的厚膜工艺，通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索，在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜。CNT厚膜工艺研究表明，CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2％，最佳烧结温度为480℃(空气中)，才能保证厚膜有较强的附着力，CNT又不至于全部氧化。银浆比例过大，则使高电压时场发射电流明显下降，通过对CNT厚膜的场发射特性测量得知，其开启电压为2．4V／μm，在5V／μm的电场下，场发射电流密度为27．8μA／cm^2，但发光显示情况不佳，通过使用含有机粘结剂的浆料，使显示发光情况得到了很大改善。
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| 关 键 词： | 碳纳米管阴极 厚膜工艺 银浆 场发射 |
| 文章编号： | 1005-9490(2004)04-0543-04 |
Study of Thick Film Process for Carbon Nanotubes Field Emission Cathode |
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| WANG Qi-kun,ZHU Chang-chun,TIAN Chang-hui,SHI Yong-sheng.Study of Thick Film Process for Carbon Nanotubes Field Emission Cathode[J].Journal of Electron Devices,2004,27(4):543-546. |
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| Authors: | WANG Qi-kun ZHU Chang-chun TIAN Chang-hui SHI Yong-sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CNT cathode thick film process ag paste field emission |
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