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半导体光放大器的超快动态增益特性
引用本文:郑泽洲,张新亮,黄德修.半导体光放大器的超快动态增益特性[J].激光技术,2003,27(3):168-171.
作者姓名:郑泽洲  张新亮  黄德修
作者单位:1.华中科技大学光电子工程系, 武汉, 430074
基金项目:国家九七三计划项目,湖北省自然科学基金资助项目
摘    要:提出了一种包括载流子密度脉动(CDP)、载流子加热(CH)和光谱烧孔(SHB)效应在内的半导体光放大器(SOA)的时域动态模型。利用该模型分析了半导体光放大器中的增益饱和、超快增益动态以及光脉冲在增益饱和半导体光放大器中的波形畸变,其中重点考虑了超短脉冲的情况。模拟计算表明,对于10ps量级以下的短脉冲,分析半导体光放大器的动态增益特性时,不能忽略载流子加热和光谱烧孔等带内超快非线性效应的影响。

关 键 词:半导体光放大器    动态增益特性    模型    超短脉冲
文章编号:1001-3806(2003)03-0168-04
收稿时间:2002/11/4
修稿时间:2002年11月4日

Ultrafast dynamic gain characteristics of semiconductor optical amplifiers
Zheng Zezhou,Zhang Xinliang,Huang Dexiu.Ultrafast dynamic gain characteristics of semiconductor optical amplifiers[J].Laser Technology,2003,27(3):168-171.
Authors:Zheng Zezhou  Zhang Xinliang  Huang Dexiu
Abstract:An advanced time-domain dynamic model for the investigation of semiconductor optical amplifiers(SOA) is presented. The model accounts for the ultrafast gain dynamics,the gain saturation and the pulse distortion induced by carrier density pulsation(CDP),carrier heating(CH) and spectral hole burning(SHB),the focus is on the ultrashort pulse gain saturation in SOA. It is shown by numerical simulation that there is a critical pulsewidth around 10ps,below which the intraband effects cannot be neglected.
Keywords:semiconductor optical amplifier(SOA)  dynamic gain characteristics  model  ultrashort pulse
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