| SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究 |
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| 引用本文： | 夏克军,李树荣,王纯,郭维廉,郑云光,陈培毅,钱佩信. SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究[J]. 半导体学报, 2003, 24(3): 312-317 |
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| 作者姓名： | 夏克军 李树荣 王纯 郭维廉 郑云光 陈培毅 钱佩信 |
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| 作者单位： | 天津大学电信学院 天津300072(夏克军，李树荣，王纯，郭维廉，郑云光)，清华大学微电子所 北京100084(陈培毅)，清华大学微电子所 北京100084(钱佩信) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9836 0 2 0 )~~ |
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| 摘 要： | 在带有应变SiGe沟道的SOIMOSFET结构中 ,把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管 (SiGeSOIBMHMT) .在SIVACO软件的器件数值模拟基础上 ,对这种结构的P型沟道管工作过程作了分析 ,并建立了数学模型 .提出在低电压 (小于 0 7V)下 ,衬底电极的作用可近似等效成栅 ,然后依据电荷增量 (非平衡过剩载流子 )的方法 ,推导出该结构的I V特性方程 .该方程的计算结果与器件模拟结果相一致.
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| 关 键 词： | BMHMT 器件模型 SiGe SOI |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)03-0312-06 |
| 修稿时间： | 2002-05-22 |
Device Model for SOI P-Type Bipolar-MOS Hybrid Mode Transistors with Strained SiGe Layer |
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| Xia Kejun,Li Shurong,Wang Chun,Guo Weilian,Zheng Yunguang,Chen Peiyi and Qian Peixin. Device Model for SOI P-Type Bipolar-MOS Hybrid Mode Transistors with Strained SiGe Layer[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(3): 312-317 |
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| Authors: | Xia Kejun Li Shurong Wang Chun Guo Weilian Zheng Yunguang Chen Peiyi Qian Peixin |
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| Affiliation: | Xia Kejun1,Li Shurong1,Wang Chun1,Guo Weilian1,Zheng Yunguang1,Chen Peiyi2 and Qian Peixin2 |
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| Abstract: | Based on the structure of SOI MOSFET with a buried strained SiGe layer,a novel bipolar-MOS hybrid mode transistor (SiGe SOI BMHMT) is generated by connecting the gate to its substrate.A mathematic model for such a transistor of p type is presented grounding on the numerical device simulation carried out by the software SIVACO.It is demonstrated that the substrate electrode can be regarded as a gate under the condition of low voltage supply (<0.7V).The equation of its I-V characteristics is then deduced according to the method of charge increment.The calculated results of this equation are consistent with the ones from the numerical device simulation. |
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| Keywords: | BMHMT device model SiGe SOI |
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