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| 掺杂SO2-4对In2O3电导和气敏性能的影响 | |
| 引用本文： | 葛秀涛,刘杏芹,李永红.掺杂SO2-4对In2O3电导和气敏性能的影响[J].郑州轻工业学院学报(自然科学版),2004,19(4). |
| 作者姓名： | 葛秀涛 刘杏芹 李永红 |
| 基金项目： | 安徽省教育厅自然科学基金 |
| 摘 要： | 用超声分散浸渍法制备了掺杂SO2-4的In2O3半导体气敏材料, 并对其电导和气敏性能进行了研究.结果表明: SO2-4的掺入改变了N型半导体In2O3材料的导电性能;少量SO2-4(w(SO2-4)≈2%)的存在,能提高材料的比表面积和表面吸附氧On-2量,187 ℃下对乙醇有较好的选择性和灵敏度. |
| 关 键 词： | 掺杂 氧化铟 气敏性能 超声分散浸渍法 气敏材料 |
Effect of SO2-4 dopant on the conductivity and gas-sensing properties of In2O3 |
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| Abstract: | |
| Keywords: | SO2-4 |
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