OLED掩模版Mura缺陷分析与改善

Mura缺陷管控作为关键技术指标直接决定着OLED器件的显示画质与良品率。针对OLED掩模版生产过程中发生的Mura缺陷，通过Mura不良分析发现这种缺陷与阵列像素单元邻近辅助图形有关，并在显影工艺后表现出阵列像素单元关键尺寸（CD）不均匀与宏观色差。依据显影工艺分析，基于旋喷式显影模式提出了一种分步显影方案，实验测试分析了显影液流速、旋转速度、纯水流速以及纯水/显影液过渡时间等工艺参数对Mura缺陷的影响。通过优化显影工艺，实现阵列像素单元CD不均匀性优于120 nm，阵列像素单元边缘Mura不良区域由大于3%降低至无视觉可见Mura，结果表明该工艺方案可以显著改善Mura缺陷。