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磁控溅射制备AlN薄膜的蒙特卡罗模拟
引用本文:佟洪波,柳青.磁控溅射制备AlN薄膜的蒙特卡罗模拟[J].表面技术,2009,38(3).
作者姓名:佟洪波  柳青
作者单位:辽宁石油化工大学机械工程学院,辽宁抚顺,113001
摘    要:应用蒙特卡罗程序TRIM对Ar+轰击AIN的微观过程进行了模拟.对不同能量以及不同角度下Ar+轰击AlN引起的溅射产额进行了系统的研究.随着入射离子能量的逐渐增加,AlN的溅射产额呈上升趋势.AlN的溅射产额随入射角增加而逐渐升高,在75°左右达到峰值,超过75°后,溅射产额急剧下降.实验发现垂直入射时和斜入射时,Al和N两元素的分溅射产额的比值变化规律有着明显的不同.

关 键 词:AlN薄膜  溅射产额  蒙特卡罗模拟

Monte-carlo Simulation of Magnetron Sputtering of AlN Thin Tilms
TONG Hong-bo,LIU Qing.Monte-carlo Simulation of Magnetron Sputtering of AlN Thin Tilms[J].Surface Technology,2009,38(3).
Authors:TONG Hong-bo  LIU Qing
Affiliation:TONG Hong-bo,LIU Qing(School of Mechanical Engineering,Liaoning Shihua University,Fushun 113001,China)
Abstract:
Keywords:AlN thin films  Sputtering yield  Monte-carlo simulation  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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